Inicio >> Productos >> Componentes electrónicos >> Transistor Mosfet IRF 630.

Transistor Mosfet IRF 630.

S/.2.00

Transistor Mosfet IRF 630.

onductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 1500

Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.4

Disipación total del dispositivo (Pd): 100

Tensión drenaje-fuente (Uds): 200

Tensión compuerta-fuente (Ugs): 20

Corriente continua de drenaje (Id): 10

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150